等离子去胶机，等离子去胶机采用电感耦合各向同性(各个方向)等离子激发方式，适用于所有的基材及复杂的几何构形都可以进行等离子体去胶。

等离子去胶机特别适合于大学，科研院所和微电子、半导体企业实验室，对电路板、外延片、芯片、环氧基树脂、MEMS制造过程中牺牲层，干刻或湿刻处理前或后，对基材进行聚合物剥离、金属剥离、掩膜材料等光刻胶去除，以及晶圆表面预处理等。

等离子去胶机其外观美学设计，结构紧凑，漂亮大气，优化的腔体结构及合理的结构设计，使得处理样品量更大，适用范围更广，性能更稳定，操作更简便，性价比更高，使用成本更低，实用性更强，更容易维护。

等离子去胶机原理同等离子清洗类似，主要通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶，由于光 刻胶的基本成分是碳氢有机物，在射频或微波作用下，工艺气体氧气电离成氧原子并与光刻胶发生化学反应，生成一氧化碳， 二氧化碳和水等，再通过泵被真空抽走，完成光刻胶的去除。在反应气体中加入氮气或者氢气可以提高去胶性能、加强对 残留物的去除。与传统的化学去胶方法相比，等离子去胶机具有更高的清洁效率和更少的环境污染。

7寸彩色触摸屏互动操作界面，自动控制监测工艺参数状态，20个配方程序，工艺数据可存储追溯。

PLC工控机控制整个去胶过程，手动、自动两种工作模式。

石英真空舱，全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。

可选用石英舟，更适合晶元硅片去胶应用。

采用花洒式多孔道进气方式，改变单孔进气不均匀问题。

采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。 可输入氧气、氩气、氮气、氢气或混合气等气体。

HEPA 高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。

处理高效均匀，效率高，工艺重复性好。

样品处理温度低，无热损伤和热氧化。

安全保护，舱门打开，自动关闭电源，机器运行、停止提示。

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